具有脲基且含有硅的形成抗蚀剂下层膜的组合物

摘要

本发明的课题是提供一种形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物，该组合物用于形成可以作为硬掩模使用的抗蚀剂下层膜。作为本发明的解决问题的方法是，一种形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物，含有：含脲基的水解性有机硅烷、其水解物、或其水解缩合物。水解性有机硅烷是式(1)所示化合物。式(1)式(2)[式(1)中，T¹、T²和T³这3个基团中的至少一个是式(2)所示基团。]

主权项

1.一种形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物，含有：式(1)所示水解性有机硅烷、与选自式(4)所示有机硅化合物和式(5)所示有机硅化合物中的至少1种有机硅化合物的组合、它们的水解物、或它们的水解缩合物，选自所述式(4)所示有机硅化合物和所述式(5)所示有机硅化合物中的至少1种有机硅化合物中，包含苯基三甲氧基硅烷或苯基三乙氧基硅烷，式(1)式(1)中，T¹、T²和T³这3个基团中的至少一个是式(2)所示基团，其他的T¹、T²和T³各自独立地表示氢原子、R¹或R²，其中，R¹和R²各自独立地表示烷基、芳基、卤代烷基、卤代芳基、链烯基、或具有环氧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、巯基、氨基或氰基的有机基团，R¹与R²还可以结合在一起形成环，式(2)式(2)中，R³表示亚烷基、亚芳基、卤代亚烷基、卤代亚芳基、亚烯基，或由具有环氧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、巯基、氨基或氰基的有机基团衍生的2价连接基团，n表示0或1的整数，R⁴表示烷基、芳基、卤代烷基、卤代芳基、链烯基，或具有环氧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、巯基、氨基或氰基的有机基团，R⁵表示烷氧基、酰氧基或卤原子，m表示0或1的整数，R⁶_aSi(R⁷)_4-a         式(4)式中，R⁶表示烷基、芳基、卤代烷基、卤代芳基、链烯基、或具有环氧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、巯基、氨基或氰基的有机基团，且通过Si-C键与硅原子结合，R⁷表示烷氧基、酰氧基或卤原子，a表示0～3的整数，〔R⁸_cSi(R⁹)_3-c〕₂Y_b     式(5)式中，R⁸表示烷基，R⁹表示烷氧基、酰氧基或卤原子，Y表示亚烷基或亚芳基，b表示0或1的整数，c表示0或1的整数。