| 发明名称 | 形成用于半导体装置的取代栅极结构的方法 | ||
| 摘要 | 本文揭示形成用于半导体装置的取代栅极结构的方法。在一实施例中，该方法包含下列步骤：形成一牺牲栅极结构于一半导体基板上方，移除该牺牲栅极结构以借此定义一栅极凹室，在该栅极凹室中形成一层绝缘材料，以及在该栅极凹室内形成一层金属于该绝缘材料层上方。该方法还包含下列步骤：在该栅极凹室中形成一牺牲材料以便覆盖该金属层的一部分且借此定义该金属层的一暴露部，对于该金属层的该暴露部执行一蚀刻工艺以借此由该栅极凹室内移除该金属层的该暴露部，以及在执行该蚀刻工艺后，移除该牺牲材料并形成一导电材料于该金属层的其余部分上方。 | ||
| 申请公布号 | CN103219231A | 申请公布日期 | 2013.07.24 |
| 申请号 | CN201310021597.3 | 申请日期 | 2013.01.21 |
| 申请人 | 格罗方德半导体公司 | 发明人 | 谢瑞龙;蔡秀雨;R·米勒;A·诺尔 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人 | 程伟;王锦阳 |
| 主权项 | 一种形成晶体管的方法，其包括下列步骤：形成一牺牲栅极结构于一半导体基板上方；移除该牺牲栅极结构以借此定义一栅极凹室；在该栅极凹室中形成一层绝缘材料；在该栅极凹室内形成一层金属于该绝缘材料层上方；在该栅极凹室中形成一牺牲材料，以便覆盖该金属层的一部分且借此定义该金属层的一暴露部；对于该金属层的该暴露部执行一蚀刻工艺以借此移除在该栅极凹室内的该金属层的该暴露部；在执行该蚀刻工艺后，移除该牺牲材料；以及在该金属层中先前被覆盖的部分上方形成一导电材料。 | ||
| 地址 | 英属开曼群岛大开曼岛 | ||