发明名称 真空等离子刻蚀反应腔体设备
摘要 本实用新型公开了一种真空等离子刻蚀反应腔体设备,包括腔体上极板及腔体下极板,所述腔体上极板及腔体下极板分别连接交变电源,硅片设置在所诉腔体下极板的上方,腔体下极板中设置有多个通孔,用于通过顶针,每个所述顶针中串联一电感,所述顶针设置在顶针支撑架上,所述顶针支撑架与气缸相连,通过所述气缸带动所述顶针上下移动,所述气缸接地。本实用新型能满足阻止大功率高频的交变电源功率的流失,又改善静电放电回路。
申请公布号 CN203085485U 申请公布日期 2013.07.24
申请号 CN201320016210.0 申请日期 2013.01.11
申请人 上海华虹NEC电子有限公司 发明人 孙希
分类号 H01J37/32(2006.01)I;H01J37/04(2006.01)I 主分类号 H01J37/32(2006.01)I
代理机构 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人 丁纪铁
主权项 一种真空等离子刻蚀反应腔体设备,其特征在于,包括腔体上极板及腔体下极板,所述腔体上极板及腔体下极板分别连接交变电源,硅片设置在所诉腔体下极板的上方,腔体下极板中设置有多个通孔,用于通过顶针,每个所述顶针中串联一电感,所述顶针设置在顶针支撑架上,所述顶针支撑架与气缸相连,通过所述气缸带动所述顶针上下移动,所述气缸接地。
地址 201206 上海市浦东新区川桥路1188号