发明名称 |
真空等离子刻蚀反应腔体设备 |
摘要 |
本实用新型公开了一种真空等离子刻蚀反应腔体设备,包括腔体上极板及腔体下极板,所述腔体上极板及腔体下极板分别连接交变电源,硅片设置在所诉腔体下极板的上方,腔体下极板中设置有多个通孔,用于通过顶针,每个所述顶针中串联一电感,所述顶针设置在顶针支撑架上,所述顶针支撑架与气缸相连,通过所述气缸带动所述顶针上下移动,所述气缸接地。本实用新型能满足阻止大功率高频的交变电源功率的流失,又改善静电放电回路。 |
申请公布号 |
CN203085485U |
申请公布日期 |
2013.07.24 |
申请号 |
CN201320016210.0 |
申请日期 |
2013.01.11 |
申请人 |
上海华虹NEC电子有限公司 |
发明人 |
孙希 |
分类号 |
H01J37/32(2006.01)I;H01J37/04(2006.01)I |
主分类号 |
H01J37/32(2006.01)I |
代理机构 |
上海浦一知识产权代理有限公司 31211 |
代理人 |
丁纪铁 |
主权项 |
一种真空等离子刻蚀反应腔体设备,其特征在于,包括腔体上极板及腔体下极板,所述腔体上极板及腔体下极板分别连接交变电源,硅片设置在所诉腔体下极板的上方,腔体下极板中设置有多个通孔,用于通过顶针,每个所述顶针中串联一电感,所述顶针设置在顶针支撑架上,所述顶针支撑架与气缸相连,通过所述气缸带动所述顶针上下移动,所述气缸接地。 |
地址 |
201206 上海市浦东新区川桥路1188号 |