| 发明名称 | 一种提高相控硅基液晶器件响应速度的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种提高相控硅基液晶器件响应速度的方法，包括：步骤S101，确定调整步长m；步骤S102，根据相控硅基液晶器件的厚度和工作温度，结合调整步长m，确定不同的响应区间；步骤S104，选择各个响应区间内响应速度变化最快的一个响应区间作为相控变换的工作区间。本发明采用ECB模式，在满足连续相位调试、极低量子化误差、高光传输效率、全相位调试等原有优势的基础上，达到了器件提速的目的。 | ||
| 申请公布号 | CN103217818A | 申请公布日期 | 2013.07.24 |
| 申请号 | CN201310087022.1 | 申请日期 | 2013.03.19 |
| 申请人 | 清华大学 | 发明人 | 张紫辰;尤政;初大平 |
| 分类号 | G02F1/133(2006.01)I | 主分类号 | G02F1/133(2006.01)I |
| 代理机构 | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人 | 田俊峰 |
| 主权项 | 一种提高相控硅基液晶器件响应速度的方法，其特征在于，包括：步骤S101，确定调整步长m；步骤S102，根据相控硅基液晶器件的厚度和工作温度，结合调整步长m，确定不同的响应区间；步骤S103，选择各个响应区间内响应速度变化最快的一个响应区间作为相控变换的工作区间。 | ||
| 地址 | 100084 北京市海淀区100084-82信箱 | ||