| 发明名称 | 一种机械合金化一步制备单相BiCuSeO热电材料粉体的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种BiCuSeO热电材料粉体的制备方法。一种机械合金化一步制备单相BiCuSeO热电材料粉体的方法，其特征在于它包括如下步骤：1）以单质Bi、单质Cu、单质Se和Bi2O3粉为原料，按单质Bi、单质Cu、单质Se和Bi2O3粉摩尔比为1:3:3:1的比例，称取单质Bi、单质Cu、单质Se和Bi2O3粉；2）将粉体装入高能球磨机中进行球磨，得到单相BiCuSeO的热电材料粉体。球磨过程中球料质量比为20:1~60:1，球磨机转速为350~800r/min，球磨时间为8~24小时。本发明具有节省能源、工艺参数简单可控以及重复性好等优点。 | ||
| 申请公布号 | CN103215466A | 申请公布日期 | 2013.07.24 |
| 申请号 | CN201310126091.9 | 申请日期 | 2013.04.12 |
| 申请人 | 武汉理工大学 | 发明人 | 唐新峰;程鑫;李涵 |
| 分类号 | C22C1/04(2006.01)I;C22C28/00(2006.01)I | 主分类号 | C22C1/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人 | 唐万荣 |
| 主权项 | 一种机械合金化一步制备单相BiCuSeO热电材料粉体的方法，其特征在于它包括如下步骤：1） 以单质Bi、单质Cu、单质Se和Bi2O3粉为原料，按单质Bi、单质Cu、单质Se和Bi2O3粉摩尔比为1:3:3:1的比例，称取单质Bi、单质Cu、单质Se和Bi2O3粉；2） 将单质Bi、单质Cu、单质Se和Bi2O3粉装入高能球磨机中，进行球磨得到单相BiCuSeO热电材料粉体。 | ||
| 地址 | 430070 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号 | ||