| 发明名称 | 功率MOS晶体管的终端结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种功率MOS晶体管的终端结构，为n型外延层中的多个二氧化硅隔离结构，所述n型外延层靠近每个隔离结构的侧面及底部为p型离子注入区。本发明以较少的PN结和二氧化硅隔离结构作为功率MOS晶体管的终端结构，取代了传统的较多的PN结，因此只需要较小的空间尺寸就能达到承受足够耐压得终端结构，从而降低了功率MOS晶体管器件的制造成本。 | ||
| 申请公布号 | CN102130123B | 申请公布日期 | 2013.07.24 |
| 申请号 | CN201010027325.0 | 申请日期 | 2010.01.20 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 张帅;肖胜安;刘远良 |
| 分类号 | H01L27/088(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/76(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/088(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 王关根 |
| 主权项 | 一种功率MOS晶体管的终端结构，所述功率MOS晶体管的源极和漏极分别在硅片的正反两面，其特征是，所述终端结构为n型外延层中的多个二氧化硅隔离结构，所述n型外延层靠近每个隔离结构的侧面及底部为各自独立的p型离子注入区。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||