| 发明名称 | 接触孔的刻蚀方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种接触孔的刻蚀方法，包括：淀积掺磷氧化膜作为SAB的氧化膜；采用光刻工艺定义出形成钴硅化物的区域，接着刻蚀去除位于钴硅化物区域的掺磷氧化膜；淀积金属钴，之后退火处理形成钴硅化物，接着去除剩余的钴；依次淀积氮化硅层和介质层；在介质层上定义出接触孔的位置，而后刻蚀所述介质层至钴化硅物上，形成钴硅化物区域的接触孔；而后采用四氟乙烷作为刻蚀气体进行过刻蚀，去除位于接触孔区域的掺磷氧化膜至硅衬底，形成无钴硅化物区域的接触孔。采用本发明的方法，避免了原有工艺中额外的过刻蚀造成跨在浅沟槽区域的氧化膜损失过多，而使器件发生漏电的现象。 | ||
| 申请公布号 | CN102403218B | 申请公布日期 | 2013.07.24 |
| 申请号 | CN201010276881.1 | 申请日期 | 2010.09.09 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 黄志刚 |
| 分类号 | H01L21/311(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/311(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 一种接触孔的刻蚀方法，其特征在于，在器件的源漏区形成之后，包括如下步骤：（1）淀积掺磷氧化膜作为自对准硅化物阻挡层的氧化膜，其中磷在所述掺磷氧化膜中的质量百分比为：5%～15%；（2）采用光刻工艺定义出形成钴硅化物的区域，接着刻蚀去除位于钴硅化物区域的掺磷氧化膜；（3）淀积金属钴，之后退火处理形成钴硅化物，接着去除剩余的钴；（4）依次淀积氮化硅层和介质层；（5）在介质层上定义出接触孔的位置，而后采用氮化硅层作为刻蚀阻止层，刻蚀所述介质层和氮化硅层至钴硅化物上，形成钴硅化物区域的接触孔；（6）而后采用四氟乙烷作为刻蚀气体进行过刻蚀，去除位于接触孔区域的掺磷氧化膜至硅衬底，形成无钴硅化物区域的接触孔。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||