SOI衬底的制造方法

摘要

本发明为SOI衬底的制造方法。准备半导体衬底和由绝缘体构成的支撑衬底，在半导体衬底上形成包含氯原子的氧化膜，通过隔着氧化膜对半导体衬底照射加速了的离子，来在离半导体衬底的表面有预定的深度中形成脆弱区域，对氧化膜施加偏压而进行等离子体处理，将半导体衬底的表面与支撑衬底的表面相对，以将氧化膜的表面与支撑衬底的表面接合，在将氧化膜的表面与支撑衬底的表面接合之后进行热处理，并以脆弱区域为边界进行分离，从而中间夹着氧化膜在支撑衬底上形成半导体膜。

主权项

一种SOI衬底的制造方法，包括如下步骤：在单晶半导体衬底上形成包含氯原子的氧化膜；隔着所述氧化膜对所述单晶半导体衬底照射使用包含氢的气体产生的等离子体所包含的加速了的离子，以在离所述单晶半导体衬底的表面有预定的深度的区域中形成脆弱区域；施加高频电压产生偏压，以对所述单晶半导体衬底上的所述氧化膜进行等离子体处理；将所述单晶半导体衬底与由绝缘体构成的支撑衬底相对，以将所述氧化膜的表面与所述支撑衬底的表面接合；以及在将所述氧化膜的表面与所述支撑衬底的表面接合之后进行热处理，以在所述脆弱区域中进行分离，来夹着所述氧化膜在所述支撑衬底上形成单晶半导体膜。