具有支撑凸台的基座

摘要

一种用于在化学气相沉积工艺期间支撑半导体晶片的基座包括具有相反的上表面和下表面的体。支撑凸台从所述体的所述下表面向下延伸。每一个支撑凸台具有凸台开口，所述凸台开口的尺寸和形状适宜于容纳化学气相沉积设备的支撑杆，从而在所述支撑杆上安装所述基座。

主权项

一种基座，用于在化学气相沉积工艺期间在包括多个支撑杆的化学气相沉积设备中支撑半导体晶片，所述基座包括：具有相反的上表面和下表面的体；至少一个凹陷，其从所述体的所述上表面向下延伸，用于在所述化学气相沉积工艺期间在其中容纳单个半导体晶片；以及多个支撑凸台，其从所述体的所述下表面向下延伸，每一个所述支撑凸台的下表面与所述体的下表面共面，且每一个所述支撑凸台具有朝向所述基座的所述体的所述下表面轴向地延伸的凸台开口，其中所述凸台开口的尺寸和形状适于容纳所述化学气相沉积设备的所述支撑杆中的一个的自由端，从而在所述支撑杆上安装所述基座。