用于测量晶片堆叠的层厚度和晶格缺陷的测量装置和方法

摘要

本发明涉及用于在分布于晶片堆叠上的多个测量位置处测量和/或检测晶片堆叠的一个或多个层的层厚度和/或晶格缺陷的测量装置以及方法，以及相对应的晶片处理设备。

主权项

用于在分布于晶片堆叠（8）上的多个测量位置处测量和/或检测晶片堆叠（8）的一个或多个层的层厚度和/或晶格缺陷的测量装置，具有以下的特征：‑相对于该晶片堆叠（8）可移动的发送器（9），其用于发送电磁波或超声波形式的信号，‑与该发送器（9）一起相对于该晶片堆叠（8）可移动的接收器（10），其用于接收由该发送器（9）所发送的并在该晶片堆叠（8）处所反射的信号，以及‑用于分析由该接收器所接收的信号的分析单元，其中由该分析单元可以区分由该晶片堆叠（8）的层之间的至少两个过渡（15，18）所反射的信号，并可以确定其相互之间的和/或到参考平面（R）的间距，并且其中能够检测该晶片堆叠（8）和/或该测量装置（11）平行于该参考平面（R）的移动，并从而能够检测沿该参考平面（R）的每个测量位置的位置。