发明名称 | 锑化铟红外探测器脱水处理方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种锑化铟红外探测器脱水处理方法,包括:台面腐蚀之后的锑化铟红外探测器进行预处理;预处理之后的锑化铟红外探测器放入甲醇中进行脱水处理;将脱水处理后的锑化铟红外探测器放在臭氧氧化设备内依次进行干燥处理和臭氧氧化处理,通过对锑化铟红外探测器依次进行清洗、脱水处理,从而彻底去除锑化铟红外探测器上面存留的杂质和水,避免了锑化铟红外探测器性能随净化间湿度变化而产生的大幅波动,从而基本稳定了芯片性能批次内和批次间的一致性,而干燥处理和臭氧氧化处理则使脱水处理的效果在高湿度的净化间环境中得到保持,避免了水汽对芯片的二次污染。 | ||
申请公布号 | CN103219424A | 申请公布日期 | 2013.07.24 |
申请号 | CN201310120400.1 | 申请日期 | 2013.04.09 |
申请人 | 中国电子科技集团公司第十一研究所 | 发明人 | 亢喆;邱国臣;肖钰 |
分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人 | 田卫平 |
主权项 | 一种锑化铟红外探测器脱水处理方法,其特征在于,包括:对台面腐蚀之后的锑化铟红外探测器进行清洗处理;将清洗之后的所述锑化铟红外探测器放入甲醇中进行脱水处理;将脱水处理后的所述锑化铟红外探测器放在臭氧氧化设备内,进行干燥处理和臭氧氧化处理。 | ||
地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路4号 |