| 发明名称 | 硅光子芯片光学耦合结构 | ||
| 摘要 | 本发明涉及硅光子芯片光学耦合结构。提供了一种硅光子芯片。包括光子器件的有源硅层在硅光子芯片的前侧上。包括蚀刻的背侧腔的硅衬底在硅光子芯片的背侧上。微透镜集成到蚀刻的背侧腔中。掩埋氧化物层位于有源硅层和硅衬底之间。掩埋氧化物层是用于蚀刻的背侧腔的蚀刻停止层。 | ||
| 申请公布号 | CN103217740A | 申请公布日期 | 2013.07.24 |
| 申请号 | CN201310017480.8 | 申请日期 | 2013.01.17 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | P·S·安德里;R·A·巴德;F·R·利布士;R·L·威斯涅夫 |
| 分类号 | G02B6/122(2006.01)I;G02B6/42(2006.01)I | 主分类号 | G02B6/122(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 于静;张亚非 |
| 主权项 | 一种硅光子芯片，所述硅光子芯片包括：有源硅层，包括光子器件，其中所述有源硅层在所述硅光子芯片的前侧上；硅衬底，包括蚀刻的背侧腔，其中所述硅衬底在所述硅光子芯片的背侧上；微透镜，集成到所述蚀刻的背侧腔中；以及掩埋氧化物层，位于所述有源硅层和所述硅衬底之间，其中所述掩埋氧化物层是用于所述蚀刻的背侧腔的蚀刻停止层。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||