发明名称 一种顶部籽晶泡生法生长大尺寸氟化物晶体的方法
摘要 本发明公开了一种顶部籽晶泡生法生长大尺寸氟化物晶体的方法,包括以下步骤:称量氟化物晶体和除氧剂粉末,混合后压成料块;对压成的块料进行干燥处理;将料块装入坩埚中,依次安装热场组件,并安装籽晶;抽真空,并升温化料,直至观察到料块熔化为止;下降籽晶使之接触熔化液面,使籽晶微熔,提拉籽晶杆,料块在籽晶上凝结生长;在晶体引晶结束后,降低功率进入放肩阶段,此阶段保持晶体旋转,同时保持晶体的提拉速度,晶体会随着向上的提拉过程直径逐渐放大,进入等径生长阶段,直至长晶结束;在晶体重量达到投料重量后,降温退火。本方法生长成本低,生长周期短;适合大尺寸氟化物晶体,真空生长,无氧杂质;生长过程可见可控,晶体质量高。
申请公布号 CN103215640A 申请公布日期 2013.07.24
申请号 CN201310119023.X 申请日期 2013.04.08
申请人 苏州巍迩光电科技有限公司 发明人 王庆国;钱兵;朱烨;汪红卫;鞠星;李倩
分类号 C30B17/00(2006.01)I;C30B29/12(2006.01)I 主分类号 C30B17/00(2006.01)I
代理机构 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 代理人 董建林
主权项 一种顶部籽晶泡生法生长大尺寸氟化物晶体的方法,其特征是,包括以下步骤:步骤1. 原料的预处理:   称量氟化物晶体和除氧剂粉末,混合均匀后压成料块;对压成的块料进行干燥处理;步骤2. 装料:装料过程在干燥洁净室中完成,将配制好的料块装入钨制坩埚中,并将热场组件依次安装,并安装籽晶;步骤3.抽真空,并升温化料,直至观察到料块熔化为止;步骤4.缩颈及引晶:下降籽晶使之接触熔化液面,控制温度高于晶体熔点使籽晶微熔,然后提拉籽晶杆在表面张力的作用下,料块在籽晶上凝结生长;步骤5.放肩及转肩:在晶体引晶结束后,降低功率进入放肩阶段,在此阶段保持晶体旋转,同时保持晶体的提拉速度,晶体会随着向上的提拉过程直径逐渐放大,在生长重量达到投料量的8%‑10%时停止晶体旋转,保持垂直提拉进入等径生长阶段;步骤6.等径生长阶段:该阶段生长速率恒定,停止晶体旋转,保持一定提拉速率,直至长晶结束;步骤7.降温退火:在晶体重量达到投料重量后,开始降温退火。
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