发明名称 |
新相干多侧边电磁体 |
摘要 |
本发明涉及新相干多侧边电磁体。在一些实施例中,本公开涉及等离子体处理系统,其生成具有与工件大小无关的最大强度的磁场。等离子体处理系统具有多个侧边电磁体,其具有与工件大小无关的大小。侧边电磁体定位在被配置为容纳半导体工件的处理器的外围的周围。当电流被提供给侧边电磁体时,从工件周围的不同位置发出独立的磁场。独立磁场有助于形成控制处理室内的等离子体分布的总磁场。由于多个独立侧边电磁体的大小与工件大小无关,所以多个侧边电磁体可以生成具有与工件大小无关的最大场强度的磁场。 |
申请公布号 |
CN103219215A |
申请公布日期 |
2013.07.24 |
申请号 |
CN201210195495.9 |
申请日期 |
2012.06.13 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
林柏宏;蔡明志;陈嘉和;高宗恩 |
分类号 |
H01J37/32(2006.01)I;H05H1/10(2006.01)I |
主分类号 |
H01J37/32(2006.01)I |
代理机构 |
北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 |
代理人 |
章社杲;孙征 |
主权项 |
一种等离子体处理系统,包括:处理室,被配置为容纳半导体工件;多个侧边电磁体,位于所述半导体工件外围并具有与工件大小无关的大小;电源,被配置为使电流通过所述多个侧边电磁体,使得相应的侧边电磁体生成独立磁场,所述独立磁场从所述工件周围的不同位置发出并控制所述处理室内的等离子体的分布。 |
地址 |
中国台湾新竹 |