| 发明名称 | Zn-Dy-Zn型单分子磁性材料及其制备方法 | ||
| 摘要 | Zn-Dy-Zn型单分子磁性材料及其制备方法，它涉及单分子磁性材料及其制备方法。Zn-Dy-Zn型单分子磁性材料的表达式为Zn<sub>2</sub>Dy(L)<sub>2</sub>(Cl)<sub>3</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>2</sub>。制备方法：将乙腈和甲醇混合，得混合溶剂，然后加入希夫碱化合物L、醋酸锌和氯化镝，搅拌反应，过滤后将滤液静止两周，得到晶体单分子磁性材料即完成。本发明分子设计构思新颖，制备简易，所得Zn-Dy-Zn型单分子磁性材料，是具有稳定结构的含单核Dy的稀土化合物，它的最大翻转能垒U为394K，阻塞温度为8K，明显优于已公开发表的含单核镝单分子磁性体系。 | ||
| 申请公布号 | CN103219116A | 申请公布日期 | 2013.07.24 |
| 申请号 | CN201310140269.5 | 申请日期 | 2013.04.22 |
| 申请人 | 黑龙江大学 | 发明人 | 孙文彬;闫鹏飞;李洪峰;陈鹏;田永梅;韩冰露;李光明 |
| 分类号 | H01F1/053(2006.01)I;C07F19/00(2006.01)I | 主分类号 | H01F1/053(2006.01)I |
| 代理机构 | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人 | 金永焕 |
| 主权项 | 1.Zn-Dy-Zn型单分子磁性材料，其特征在于Zn-Dy-Zn型单分子磁性材料的表达式为Zn<sub>2</sub>Dy(L)<sub>2</sub>(Cl)<sub>3</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>2</sub>，其结构式如下：<img file="FDA00003084623300011.GIF" wi="1152" he="665" /> | ||
| 地址 | 150080 黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路74号 | ||