| 发明名称 | 薄膜晶体管、其制造方法、显示单元和电子装置 | ||
| 摘要 | 提供了抑制光影响并具有稳定特征的薄膜晶体管、其制造方法、显示单元及电子装置。所述薄膜晶体管包括：栅电极；具有面向所述栅电极的沟道区的氧化物半导体膜；以及至少覆盖所述沟道区并含有吸收光的铝低价氧化物（AlXOY，其中0<Y/X<3/2）的保护膜。 | ||
| 申请公布号 | CN103219388A | 申请公布日期 | 2013.07.24 |
| 申请号 | CN201310011841.8 | 申请日期 | 2013.01.11 |
| 申请人 | 索尼公司 | 发明人 | 大岛宜浩;藤森隆成;广升泰信;寺井康浩 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L23/552(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 余刚;吴孟秋 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管，包括：栅电极；氧化物半导体膜，具有面向所述栅电极的沟道区；以及保护膜，至少覆盖所述沟道区并含有吸收光的铝低价氧化物AlXOY，其中0<Y/X<3/2。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||