锗晶体生长的方法和装置

摘要

锗晶体生长的方法和装置。所述方法包括：将第一Ge原料装入一个坩埚中，所述坩埚带有放置有晶种的晶种槽；将第二Ge原料装入一个将置于石英安瓿内的用以补充Ge原料的装载容器中；将所述坩埚和装载容器密封在一个石英安瓿内；将密封有所述坩埚和装载容器的石英安瓿放入一个具有可移动的安瓿支座的晶体生长熔炉中，所述支座支承安瓿；熔化坩埚中的第一Ge原料从而生成一种熔融体；熔化容器中的第二Ge原料，并将第二Ge原料添至熔融体中；控制熔融体的结晶温度梯度，使熔融体与晶种接触的时候结晶形成单晶锗晶棒；冷却单晶锗晶棒。本发明还提供可用于实施该方法的装置，其中包括一个装载容器，其中形成单晶锗晶棒的过程包括在晶棒生长区建立0.3-2.5℃/cm的温度梯度。

主权项

一种生长单晶锗(Ge)晶体的方法，所述方法包括：将第一Ge原料装入一个坩埚中，所述坩埚带有放置晶种的晶种槽；将第二Ge原料装入一个用以补充所述第一Ge原料的装载容器中，所述装载容器置于所述坩埚之上；将所述坩埚和所述装载容器密封在一个石英安瓿内；将密封所述的石英安瓿放入一个具有可移动的安瓿支座的晶体生长熔炉中，所述支座支承所述石英安瓿；熔化所述坩埚中的所述第一Ge原料从而生成一种熔融体；熔化所述装载容器中的所述第二Ge原料，并将所述第二Ge原料添至所述熔融体中；控制所述熔融体的结晶温度梯度，使所述熔融体与所述晶种相接触，然后降温冷却使其结晶，形成单晶锗晶棒，其中所述结晶温度梯度为0.3‑2.5℃/cm。