制造硅通孔的方法

摘要

本发明公开了一种制造硅通孔的方法。该方法包括：在芯片中至少一层互连层中预定义掩模孔；以第一掩模版为掩模，刻蚀互连层上方的芯片表面介质层，该第一掩模版包括：在水平面的投影上包覆掩模孔的预设图形；以预定义掩模孔的互连层为掩模，刻蚀掩模孔位置下方的芯片表面介质层和衬底，获得阶梯形孔；在阶梯形孔中沉积绝缘层，该绝缘层覆盖阶梯形孔的开口表面及侧壁；刻蚀阶梯形孔开口表面位置上方的绝缘层；在阶梯形孔中进行导电材料填充。本发明提供的制造硅通孔方法仅需一张掩模版即可实现穿透硅通孔制造并实现其与芯片上已有互连层的电连接，工艺简单，成本低，而且能够实现较高的穿透硅通孔密度。

主权项

一种制造硅通孔的方法，其特征在于，包括：在芯片中至少一层互连层中预定义掩模孔，该掩模孔的位置、形状、尺寸与将要制备的穿透硅通孔的位置、形状和尺寸相对应；以第一掩模版为掩模，刻蚀所述互连层上方的芯片表面介质层，所述第一掩模版包括：在水平面的投影上包覆所述掩模孔的预设图形，所述介质层为化学气相沉积工艺制作的氧化硅；以所述预定义掩模孔的互连层为掩模，刻蚀所述掩模孔位置下方的芯片表面介质层和衬底，获得阶梯形孔；在所述阶梯形孔中沉积绝缘层，该绝缘层覆盖所述阶梯形孔的开口表面及侧壁，所述开口表面在水平面的投影对应于所述预设图形内、所述掩模孔外的区域；刻蚀所述阶梯形孔开口表面位置上方的绝缘层，露出阶梯形孔开口表面位置的互连层；在所述阶梯形孔中进行导电材料填充，该导电材料与所述阶梯形孔开口表面位置的互连层相连通；从芯片背面减薄所述芯片，使填充有导电材料的阶梯形孔从芯片背面露出。