去除浮栅尖角的闪存及其制造方法

摘要

本发明提出一种去除浮栅尖角的闪存的制造方法：在提供的半导体衬底有交替排列的有源区和浅沟槽隔离，有源区上有遂穿氧化层；覆盖第一多晶硅，使浅沟槽隔离上的第一多晶硅高于遂穿氧化层上的第一多晶硅；在浅沟槽隔离上开设窗口形成尖角的浮栅；在窗口中以及尖角的浮栅之上淀积有机抗反射涂层；采用基于碳的刻蚀气体对有机抗反射涂层和尖角的浮栅进行干法刻蚀形成去除尖角的浮栅，窗口中的有机抗反射涂层与去除尖角的浮栅表面平齐；通过灰化工艺去除有机抗反射涂层，再采用清洗工艺进行清洗，暴露出窗口。本发明还可形成浮栅处没有尖角的闪存，以降低栅漏电流，且去除浮栅尖角时，不会影响闪存的导电性能及可靠性。

主权项

一种去除浮栅尖角的闪存的制造方法，包括如下步骤：提供一半导体衬底，所述半导体衬底有交替排列的有源区和浅沟槽隔离，所述有源区上有遂穿氧化层；淀积第一多晶硅，用于覆盖所述遂穿氧化层和浅沟槽隔离，其中，所述浅沟槽隔离上的第一多晶硅高于所述遂穿氧化层上的第一多晶硅；在所述浅沟槽隔离上的第一多晶硅中开设窗口，形成具有尖角的浮栅，所述窗口暴露出所述浅沟槽隔离的表面；在所述窗口中及尖角的浮栅之上，淀积有机抗反射涂层；采用基于碳的刻蚀气体对所述有机抗反射涂层和尖角的浮栅进行干法刻蚀，形成去除尖角的浮栅后，所述窗口中的有机抗反射涂层与所述去除尖角的浮栅表面平齐；通过灰化工艺去除所述有机抗反射涂层后，再采用清洗工艺进行清洗，暴露出所述窗口。