发明名称 一种采用噪声抵消技术的宽带低噪声放大器
摘要 本发明提供了一种采用噪声抵消技术的宽带低噪声放大器,其特征在于,包括平衡非平衡变压器(1)、电容交叉耦合的共栅放大级(2)和前馈噪声抵消级(3),平衡非平衡变压器(1)的两个平衡输出端与电容交叉耦合的共栅放大级(2)的输入端直接耦合,同时与前馈噪声抵消级(3)的栅端通过电容耦合方式连接,前馈噪声抵消级(3)的漏端连接至电容交叉耦合的共栅放大级(2)的漏端。本发明的前馈噪声抵消级同时作为晶体管负载,和电容交叉耦合的共栅放大级共用直流电流,降低了功耗;而且前馈噪声抵消级提供了额外的噪声抵消路径,可以减小共栅管的噪声贡献。本发明通过共用直流电流的前馈噪声抵消级,实现了低噪声系数和低功耗。
申请公布号 CN103219952A 申请公布日期 2013.07.24
申请号 CN201310095543.1 申请日期 2013.03.22
申请人 中国科学技术大学 发明人 李治;黄鲁;孙利国
分类号 H03F1/26(2006.01)I 主分类号 H03F1/26(2006.01)I
代理机构 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 代理人 成金玉;顾炜
主权项 一种采用噪声抵消技术的宽带低噪声放大器,其特征在于包括:平衡非平衡变压器(1)、电容交叉耦合的共栅放大级(2)和前馈噪声抵消级(3);平衡非平衡变压器(1)的两个平衡输出端与电容交叉耦合的共栅放大级(2)的输入端直接耦合,同时与前馈噪声抵消级(3)的栅端通过电容耦合方式连接,前馈噪声抵消级(3)的漏端连接至电容交叉耦合的共栅放大级(2)的漏端;平衡非平衡变压器(1)的第一单端输入连接至信号源,平衡输出端2和3分别直接耦合到共栅放大级(2)的输入晶体管NM1和NM2的源级,第4端和第5端接地;电容交叉耦合的共栅放大级(2)用两个相同的N型晶体管NM1和NM2作为输入放大管,NM1和NM2的栅端分别通过大电阻R1和R2接到偏置电压vb1,电容C1的一端接NM1的源级另一端接NM2的栅极,电容C2的一端接NM2的源级另一端接NM1的栅极;前馈噪声抵消级(3)由两个相同的P型晶体管PM1和PM2组成,PM1和PM2的源级接到电源,PM1的漏极与NM1的漏极相连,PM2的漏极与NM2的漏极相连,PM1和PM2的栅极分别通过大电阻R3和R4接到偏置电压vb2;电容交叉耦合的共栅放大级(2)和前馈噪声抵消级(3)通过电容耦合,C4的两端分别接到NM1的源级和PM2的栅极,C3的两端分别接到NM2的源级和PM1的栅极。
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