金属塞及其制造方法

摘要

本发明公开了一种金属塞，形成于硅衬底的沟槽中，用以在硅衬底中需要电学连接的部分与硅衬底表面上的金属间实现电学连接。金属塞由金属硅化物与掺杂多晶硅或掺杂无定形硅的组合而成、或由金属硅化物与金属的组合而成、或有金属与掺杂多晶硅或掺杂无定形硅的组合而成、或由一种金属组成。金属塞在沟槽侧壁方向通过一介质层实现与硅衬底的相应部分的隔离，在底部方向实现与硅衬底上需电学连接部分的互联。本发明还提供了所述金属塞的制造方法。本发明能用作RFLDMOS器件的下沉层，减小器件的电阻和尺寸、并能提高器件的频率特性以及易于与现有工艺集成。

主权项

一种金属塞的制造方法，其特征在于，包含以下步骤：步骤一、在硅衬底上依次生长第一层介质一和第二层介质二，利用光刻、刻蚀工艺在所述硅衬底上形成沟槽图形；步骤二、在所述沟槽的底部和侧壁形成第三层介质一，在所述沟槽底部和侧壁以及所述硅衬底的表面形成第四层介质二；步骤三、通过反刻工艺将所述沟槽底部的第四层介质二去掉，保持所述沟槽侧壁的第四层介质二存在；步骤四、将所述沟槽底部的第三层介质一去掉；步骤五、将所述第四层介质二和所述第二层介质二全部去掉，得到所述沟槽底部没有介质层，所述沟槽侧壁保留有第三层介质一和所述衬底表面保留有第一层介质一的结构；步骤六、在所述沟槽底部、侧壁和所述硅衬底表面淀积金属；步骤七、在所述沟槽底部形成金属硅化物合金；并将所述沟槽侧壁、所述硅衬底表面的介质一上的所述金属刻蚀掉；步骤八、在所述沟槽和所述硅衬底表面淀积掺杂多晶硅或掺杂无定形硅；步骤九、利用反刻或化学机械研磨将所述硅衬底表面的掺杂多晶硅或掺杂无定形硅去掉。