LED用非极性GaN外延片的制备工艺

摘要

本发明公开了一种LED用非极性GaN外延片的制备工艺，包括步骤：（1）准备GaN、碳、硼材料；（2）把GaN、碳、硼放置在一起并发生熔融反应生产熔融物，使其在3—15℃/cm低温的条件下梯度生长成单晶，并在5—95℃/小时的速度冷却生产的GaN单晶；（3）在生成的GaN单晶a面上，在3—15℃/cm低温的条件下梯度生长成单晶薄膜衬底，并在5—95℃/小时的速度冷却生产的GaN单晶薄膜衬底；（4）把生成的GaN单晶薄膜衬底在300—1200℃的温度范围内热处理加工，形成衬底片；（5）对衬底片进行切割；（6）对切割获得的衬底切片进行封装。此生产工艺简单，生长周期短，热导率高，晶格失配率小，可以大幅度提高产品的发光率。

主权项

一种LED用非极性GaN外延片的制备工艺，其特征在于：它包括步骤：（1）准备GaN、碳、硼材料；（2）把GaN、碳、硼放置在一起并发生熔融反应生产熔融物，使其在3—15℃/cm低温的条件下梯度生长成单晶，并在5—95℃/小时的速度冷却生产的GaN单晶；（3）在生成的GaN单晶a面上，在3—15℃/cm低温的条件下梯度生长成单晶薄膜衬底，并在5—95℃/小时的速度冷却生成的GaN单晶薄膜衬底；（4）把生成的GaN单晶薄膜衬底在300—1200℃的温度范围内热处理加工，形成衬底片；（5）对衬底片进行切割；（6）对切割获得的衬底切片进行封装。