一种低寄生电阻射频功率器件及其制备方法

摘要

本发明属于射频功率器件技术领域，具体涉及一种低寄生电阻射频功率器件及其制备方法。本发明的低寄生电阻射频功率器件，利用栅极侧墙来实现栅极与源极位置的自对准，减小了产品参数的漂移，同时，由于栅极被钝化层保护，可以在栅极形成之后通过外延工艺来形成器件的源极与漏极，降低了源、漏寄生电阻，增强了射频功率器件的电学性能。

主权项

一种低寄生电阻射频功率器件，包括：在衬底上依次形成的氮化镓铝缓冲层、氮化镓沟道层、氮化镓铝隔离层；以及，在所述氮化镓铝隔离层之上形成的栅介质层；其特征在于，还包括：在所述栅介质层之上形成的栅叠层区，包括栅极以及位于栅极之上的钝化层；在所述栅叠层区的两侧形成的第一栅极侧墙；在所述氮化镓沟道层之上，所述栅极的一侧形成的漏极以及在所述栅极的非漏极侧形成的源极；只在所述栅叠层区靠近漏极的一侧位于所述第一栅极侧墙与漏极之间形成的第二栅极侧墙。