发明名称 |
具有薄膜晶体管的干涉式调制器 |
摘要 |
本发明揭示一种调制器,其具有一带有一第一表面的透明衬底。至少一个干涉式调制器元件驻留于所述第一表面上。至少一个电连接至所述元件的薄膜电路组件驻留于所述表面上。当多于一个干涉式元件驻留于所述第一表面上时,有至少一个薄膜电路组件对应于驻留于所述第一表面上的每一元件。 |
申请公布号 |
CN1977206B |
申请公布日期 |
2013.07.24 |
申请号 |
CN200580021873.X |
申请日期 |
2005.06.24 |
申请人 |
高通MEMS科技公司 |
发明人 |
克拉伦斯·徐;斯蒂芬·奇 |
分类号 |
G02B26/08(2006.01)I;G02B26/00(2006.01)I;G01J3/26(2006.01)I |
主分类号 |
G02B26/08(2006.01)I |
代理机构 |
北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 |
代理人 |
王允方;刘国伟 |
主权项 |
一种显示器,其包括:一具有一第一表面的透明衬底;一位于所述第一表面上的干涉式调制器元件阵列;及至少一个薄膜晶体管,其电连接至所述干涉式调制器元件中的每一者并与所述阵列集成在同一衬底上,其中所述薄膜晶体管定位于所述衬底的所述第一表面上,其中所述薄膜晶体管和所述干涉式调制器元件进一步满足下列情况(a)至(e)中的至少一种:(a)所述干涉式调制元件的光学堆叠含有与所述薄膜晶体管的栅电极相同的材料,(b)所述干涉式调制器元件的光学堆叠电介质含有与所述薄膜晶体管的栅极氧化物相同的材料,(c)所述干涉式调制元件的牺牲层含有与所述薄膜晶体管中的非晶硅层和参杂的非晶硅层相同的非晶硅和参杂的非晶硅,(d)所述干涉式调制元件的一个或多个支柱含有与所述薄膜晶体管的平坦化层相同的聚合物材料,及(e)所述干涉式调制元件的镜元件含有与所述薄膜晶体管的源极及漏极电极相同的材料。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |