改善浅沟槽隔离顶部倒角圆滑性的湿法工艺方法

摘要

本发明公开了一种改善浅沟槽隔离顶部倒角圆滑性的湿法工艺方法，包括如下步骤：(1)浅沟槽刻蚀以及去除光刻胶；(2)氮化膜回刻以及氢氟酸清洗；(3)湿法APM药液处理调整浅沟槽隔离顶部倒角的形貌；(4)在浅沟槽内成长衬底氧化膜。本发明在氮化膜回刻后增加一步湿法APM药液处理，通过对硅的微刻蚀来调整倒角的形貌，同时避免对衬底氧化膜的过度刻蚀。由于在倒角处从上面和侧面两个方向刻蚀，故可增加STI顶部倒角的圆滑性，避免器件使用可靠性受到影响。

主权项

一种改善浅沟槽隔离顶部倒角圆滑性的湿法工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)浅沟槽刻蚀以及去除光刻胶；(2)氮化膜回刻以及氢氟酸清洗；(3)湿法APM药液处理，以调整浅沟槽隔离顶部倒角的形貌；所述湿法APM药液处理，利用对硅的微刻蚀来调整浅沟槽顶部倒角的形貌，最后达到改善倒角圆滑性的目的，该步骤需要对硅有一定的刻蚀速率，该刻蚀速率控制在1埃/分钟到20埃/分钟，同时避免对有源区上衬底氧化膜的过度刻蚀和造成硅基板的一些粗糙度；所述湿法APM药液处理的处理时间根据APM药液对硅的刻蚀速率进行调整，该处理时间控制在1分钟到30分钟之间，刻蚀量太小导致圆滑效果不明显，太大则导致顶部硅的过渡刻蚀，造成有源区面积缩小和顶部的转折形貌；(4)在浅沟槽内成长衬底氧化膜。