| 摘要 |
<p>MÉTODO PARA FABRICAR UM DISPOSITIVO DE CAPTURA DE IMAGEM DE ESTADO SàLIDO, E, DISPOSITIVO DE CAPTURA DE IMAGEM DE ESTADO SàLIDO. É descrito um método para fabricar um dispositivo de captura de imagem de estado sólido que inclui um substrato incluindo uma unidade de conversão fotoelétrica e uma guia de onda arranjada no substrato, e guia de onda correspondendo à unidade de conversão fotoelétrica e incluindo um núcleo e um revestimento, que inclui uma primeira etapa e uma segunda etapa, nas quais, na primeira etapa e na segunda etapa, um elemento a ser formado no núcleo é formado em uma abertura no revestimento por deposição química de vapor intensificada por plasma de alta densidade, na qual, depois da primeira etapa, na segunda etapa, o elemento a ser formado no núcleo é formado pela deposição quiímica de vapor intensificada por plasma de alta densidade em condições nas quais a razão da potência de radiofrequência no lado da face traseira do substrato para a potência de radiofrenquencia no lado da face do substrato é maior que na primeira etapa.</p> |
