用于抛光相变记忆装置之化学机械抛光浆体组成物及使用其抛光相变记忆装置之方法（二）

摘要

提供一种用于相变记忆装置之化学机械抛光(CMP)之浆体组成物，该浆体组成物包含去离子水及铁或铁化合物。该浆体组成物可于相变记忆装置上达成高抛光速率及相变记忆材料与抛光停止层(例如氧化矽薄膜)间之改良的抛光选择性，可减少处理瑕疵(例如凹陷及溶蚀)的发生，以及可降低于相变记忆材料上之蚀刻速率来提供高品质经抛光的表面。进一步提供一种使用该浆体组成物抛光相变记忆装置之方法。