发明名称 |
具有包括奈米线路之电极的记忆体装置,包括其之系统,以及形成其之方法 |
摘要 |
本发明揭示一种具有包含可变电阻材料之记忆体单元的记忆体装置,其包括包含一单一奈米线路之一电极。可使用各种方法来形成此类记忆体装置,并且此类方法可包含在一单一奈米线路之一端与一记忆体单元中的一体积之可变电阻材料之间建立接触。电子系统包括此类记忆体装置。 |
申请公布号 |
TWI402975 |
申请公布日期 |
2013.07.21 |
申请号 |
TW097112371 |
申请日期 |
2008.04.03 |
申请人 |
美光科技公司 美国 |
发明人 |
刘峻;麦可P 凡欧里特 |
分类号 |
H01L27/115;H01L27/10;H01L21/768;H01L21/8239 |
主分类号 |
H01L27/115 |
代理机构 |
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代理人 |
陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼 |
主权项 |
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地址 |
美国 |