| 摘要 |
提供可以作为以低电源电压驱动、而且对于电源电压之变动可以产生稳定之基准电压之同时，基准电压之温度系数不容易受到制程中参数之变动影响的半导体装置。;将第1MOSFET之汲极端子与第2MOSFET之源极端子连接，以上述第1MOSFET之汲极端子与上述第2MOSFET之源极端子的端子间作为输出端子；以上述第1MOSFET之源极端子作为基准电位；对上述第2MOSFET之汲极端子施加特定之供给电压；将上述第1MOSFET之闸极端子与上述第2MOSFET之闸极端子连接；以上述第1MOSFET之闸极端子与上述第2MOSFET之闸极端子的端子间作为第1闸极端子；将上述第1MOSFET之基板端子与上述第2MOSFET之基板端子连接；以上述第1MOSFET之基板端子与上述第2MOSFET之基板端子的端子间作为第1基板端子；上述第1闸极端子与上述第2MOSFET之汲极端子未被连接。 |
