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发明名称 三层抗反射硬质遮罩
摘要 一种包括于半导体材料层(115)之上形成氧氮化矽(SiON)、氮化富矽(silicon rich nitride,SiRN)或氮化矽(Si3N4)之层(120)之方法。该方法复包括于SiON、SiRN或Si3N4之层(120)之上形成第一抗反射材料层(125)及于该第一层(125)之上形成第二抗反射材料层(130)。该方法亦包括于该半导体材料层(115)中进行图案蚀刻时，使用该第一层(125)、第二层(130)与SiON、SiRN或Si3N4之层(120)作为遮罩。
申请公布号 TWI402916 申请公布日期 2013.07.21
申请号 TW095138342 申请日期 2006.10.18
申请人 史班逊有限公司 美国;格罗方德半导体公司 美国 发明人 德纳弘和;拉瑞德　克里斯多夫Ｈ;福斯特　克里斯多夫;钱为东;恩枸　米　凡;肯德哈利　库洛斯;马特舒摩特　大卫
分类号 H01L21/318;H01L21/308 主分类号 H01L21/318
代理机构 代理人 洪武雄 台北市中正区博爱路35号9楼;陈昭诚 台北市中正区博爱路35号9楼
主权项
地址 美国
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