| 摘要 |
本发明系一种钻石底半导体(semiconductor－on－diamond,SOD)基材，以及制造这种基材的方法。一种制造一SOD基材的方法包括将一基层沉积于一晶格定向的矽(Si)基材，以使得该基层晶格藉由该矽基材而实质上定向，并将一半导体层沉积于该基层上，以使得该半导体层根据该基层的晶格而实质上定向，以及将一钻石层沉积在该半导体层上，该基层可包括许多材料，包括但不限制在磷化铝(AlP)、砷化硼(BAs)、氮化镓(GaN)、氮化铟(InN)以及其组合物；此外，该方法也还可包括自该半导体层移除该晶格定向的矽基材以及该基层，在一态样中，该矽基材可属于单晶定向。 |
