| 发明名称 |
氧化铟锡靶材及其制造方法以及氧化铟锡透明导电膜及该膜的制造方法 |
| 摘要 |
本发明公开了氧化铟锡(ITO)靶其制造方法ITO透明导电膜及其制造方法。所述ITO靶包括选自由Sm2O3和Yb2O3构成的组中的至少一种氧化物其中所述氧化物的含量相对所述靶重量爲约0.5wt%～约10wt%。 |
| 申请公布号 |
TWI402365 |
申请公布日期 |
2013.07.21 |
| 申请号 |
TW097148543 |
申请日期 |
2008.12.12 |
| 申请人 |
三星康宁精密素材股份有限公司 南韩 |
发明人 |
具本庆;尹汉镐;朴柱玉;朴炯律;金眩秀;崔成龙;崔仲烈;宋丰根;朴峻弘 |
| 分类号 |
C23C14/34;C04B35/00;H01B1/08;H01B5/14 |
主分类号 |
C23C14/34 |
| 代理机构 |
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代理人 |
蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼;李世章 台北市中山区松江路148号11楼 |
| 主权项 |
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| 地址 |
南韩 |
