非挥发性半导体记忆装置

摘要

本发明之非挥发性半导体记忆装置系具备：第1配线层；记忆单元部，其于第1配线层上积层有以金属膜夹着绝缘膜之MIM结构之非欧姆元件层与可变电阻元件层；及形成于记忆单元部上之第2配线层；且，非欧姆元件层之绝缘膜系包含电子障壁与介电常数不同之复数层，或包含于该绝缘膜中形成缺陷能阶之杂质原子、半导体之点或金属之点。藉由使用该等结构，可实现使用可进行记忆单元之细微化与低温成膜之可变电阻元件及非欧姆元件的非挥发性半导体记忆装置。