实施以金属绝缘体金属为基础之去耦合电容器的缺陷率免疫技术

摘要

一种积体电路电力供应去耦合电路，其包括一电容器及一保护电路。该电容器具有一第一端子及一第二端子。该保护电路包括：一第一电晶体，其具有一第一传导路径；及一第二电晶体，其具有一第二传导路径。该第一传导路径之一端子连接至该电容器之该第一端子，且该第一传导路径之另一端子连接至一第一电力供应轨。该第二传导路径之一端子连接至该电容器之该第二端子，且该第二传导路径之另一端子连接至一第二电力供应轨。