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发明名称
键结两底材之方法
摘要
本发明系关于一键结两底材之方法,其包含对至少一片底材施以活化处理之步骤,以及在部份真空下进行两片底材之接合步骤。由于结合了此两步骤,其因此得以进行键结,并获致高键结能量,减少键结空隙之数量。本发明特别适用于包含有处理过或部份处理过元件之底材。
申请公布号
TWI402170
申请公布日期
2013.07.21
申请号
TW098130779
申请日期
2009.09.11
申请人
S O I 科技矽公司 法国
发明人
艾纳得 卡斯德斯
分类号
B32B37/10;H01L21/02
主分类号
B32B37/10
代理机构
代理人
陈慧玲 台北市中正区重庆南路1段86号12楼
主权项
地址
法国
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