| 摘要 |
1. Полупроводниковое устройство, содержащее схему, которая была сформирована на подложке и которая включает в себя тонкопленочный диод и схему защиты с защитным диодом,причем тонкопленочный диод содержит:по меньшей мере, один полупроводниковый слой, который располагается на подложке и который имеет первую область, вторую область и канальную область, находящуюся между первой и второй областями;электрод затвора, который располагается таким образом, чтобы перекрываться с канальной областью;изолирующий слой затвора, который располагается между электродом затвора и полупроводниковым слоем;первый электрод, который располагается на первой области и который электрически соединен с первой областью и электродом затвора; ивторой электрод, который располагается на второй области и электрически соединен с ней, ипри этом (a) тип удельной проводимости тонкопленочного диода является N-типом, и анодный электрод защитного диода соединяется с линией, которая соединена либо с электродом затвора, либо с первым электродом тонкопленочного диода, илипри этом (b) тип удельной проводимости тонкопленочного диода является P-типом, и катодный электрод защитного диода соединяется с линией, которая соединена либо с электродом затвора, либо с первым электродом тонкопленочного диода, ипри этом защитный диод и тонкопленочный диод не соединяются параллельно, ипри этом схема защиты не включает в себя другие диоды, соединенные с линией так, чтобы получать направление течения тока, противоположное защитному диоду.2. Полупроводниковое устройство по п.1, в котором защитный диод содержит:по меньшей мере, один полупроводниковый слой, который � |
