| 摘要 |
1. Способ измерения локальных электромагнитных полей, структурных и кристаллографических свойств внутри полупроводниковых низкоразмерных частиц на поверхности гетеростуктур, включающий в себя облучение лазерными импульсами поверхности образца при изменении расстояния от фокусирующей линзы до образца в условиях жесткой фокусировки, измерение отраженного под углом 45° сигнала второй оптической гармоники, при интенсивности облучения, достигающей величин необходимых для генерации второй оптической гармоники, но не достигающей порогового значения интенсивности пробоя, и последующий расчет по измеренным значениям сигнала второй оптической гармоники карты распределения локальных электромагнитных полей на поверхности гетероструктур и определение качества гетероструктуры по толщине.2. Способ измерения по п.1, отличающийся тем, что направление поляризации линейно-поляризованного излучения накачки плавно изменяется с помощью вращения полуволновой пластины и одновременно с изменением направления поляризации излучения накачки вращается анализатор, пропускающий излучение второй оптической гармоники с поляризацией, сонаправленной с поляризацией накачки или перпендикулярной ей, для определения кристаллографических свойств материала. |
