| 摘要 |
La présente invention concerne l'utilisation, à titre de précurseur pour le dépôt chimique en phase vapeur de PtSi en surface d'un support, d'au moins un complexe organométallique de Pt comportant au moins : - un ligand à structure cyclique comprenant au moins deux doubles liaisons C=C non adjacentes, ou deux ligands à structure cyclique comprenant chacun une double liaison C=C ; et - un ligand choisi parmi *O-Si(R) et *N-(Si(R') ) , avec : les motifs R étant choisis, indépendamment les uns des autres, parmi des groupements (C -C )alcoxy ; les motifs R' étant choisis, indépendamment les uns des autres, parmi des groupements (C -C )alkyl et (C -C )cycloalkyl ; et * représentant la coordination du ligand au platine. |
