CELLULE MEMOIRE A CHANGEMENT DE PHASE

摘要

La cellule mémoire (1) comporte une zone mémoire (3) qui est formée dans un motif (2) en matériau à changement de phase à base de chalcogénure. Une jonction (5) électrique de type p/n est connectée en série entre des électrodes (6). La jonction (5) p/n est formée dans une zone cristalline par l'interface entre des première (2a) et seconde (2b) zones dopées du motif (2) en matériau à changement de phase. La zone mémoire (3) est formée dans une des deux zones dopées, à distance de la jonction (5).