| 发明名称 |
Halbleitertransistor mit Grabenkontakten und Herstellungsverfahren dafür |
| 摘要 |
Hier beschriebene Ausführungsformen beziehen sich auf Halbleitertransistoren mit Grabenkontakten, insbesondere auf Halbleitertransistoren, die eine Feldelektrode unterhalb einer Gateelektrode aufweisen, und auf verwandte Verfahren zur Herstellung von Halbleitertransistoren mit Grabenkontakten. |
| 申请公布号 |
DE102013100423(A1) |
申请公布日期 |
2013.07.18 |
| 申请号 |
DE201310100423 |
申请日期 |
2013.01.16 |
| 申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG |
发明人 |
POELZL, MARTIN;EHRENTRAUT, GEORG |
| 分类号 |
H01L21/336;H01L21/28;H01L21/765;H01L29/739;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L21/336 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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