| 发明名称 | 发光器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供了一种根据实施例的发光器件以及制造发光器件的方法。发光器件包括：第二电极层；第二电极层上的第三导电半导体层，该第三导电半导体层包括肖特基势垒特性区域和欧姆势垒特性区域；第三导电半导体层上的第二导电半导体层；第二导电半导体层上的有源层；有源层上的第一导电半导体层；以及第一导电半导体层上的第一电极层。 | ||
| 申请公布号 | CN102132427B | 申请公布日期 | 2013.07.17 |
| 申请号 | CN200980133120.6 | 申请日期 | 2009.07.07 |
| 申请人 | LG伊诺特有限公司 | 发明人 | 曹贤敬;朴京根;黄盛珉 |
| 分类号 | H01L33/36(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/36(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 夏凯;谢丽娜 |
| 主权项 | 一种发光器件，包括：第二电极层；所述第二电极层上的第三导电半导体层，所述第三导电半导体层包括肖特基势垒特性区域和欧姆势垒特性区域；所述第三导电半导体层上的第二导电半导体层；所述第二导电半导体层上的有源层；所述有源层上的第一导电半导体层；以及所述第一导电半导体层上的第一电极层，其中，所述欧姆势垒特性区域下面的所述第二电极层具有第一厚度，并且所述肖特基势垒特性区域下面的所述第二电极层具有比所述第一厚度薄的第二厚度。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||