发明名称 | 一种光纤焊接技术 | ||
摘要 | 本发明公开一种光纤焊接技术,是按照下述步骤进行的:a、在光纤圆周镀上1~3μm的银层,之后镀上5~20μm的铟层;b、在硅片的V型槽上镀上一层1~6μm的银层,之后再填充一层10~100μm的硼硅酸玻璃层或者NaSiO2层;c、将步骤a中得到的光纤放入步骤b的V型槽内,在100~700v电压下、加热硅片至80~200℃,持续1-50分钟。本发明在光纤外镀上金属铟,由于铟是软焊料,有较大的延展性,减少光纤与硅片之间由于热膨胀系数造成的危害,防止热膨胀系数不同使光纤与硅片脱离。与现有技术相比,本发明避免使用环氧树脂。另外,在V型槽中先镀上一层银,增加了焊接时的导电性;而V型槽底部填充满硼硅酸玻璃,增加光纤与V型槽接触面积,焊接更牢固。 | ||
申请公布号 | CN103207431A | 申请公布日期 | 2013.07.17 |
申请号 | CN201210007827.6 | 申请日期 | 2012.01.12 |
申请人 | 郑州大学 | 发明人 | 程东明 |
分类号 | G02B6/255(2006.01)I | 主分类号 | G02B6/255(2006.01)I |
代理机构 | 郑州中原专利事务所有限公司 41109 | 代理人 | 霍彦伟 |
主权项 | 一种光纤焊接技术,其特征在于是按照下述步骤进行的:a、在光纤圆周镀上1~3μm的银层,之后镀上5~20μm的铟层;b、在硅片的V型槽上镀上一层1~6μm的银层,之后再填充一层10~100μm的硼硅酸玻璃层或者NaSiO2层;c、将步骤a中得到的光纤放入步骤b的V型槽内,在100~700v电压下、加热硅片至80~200℃,持续1‑50分钟。 | ||
地址 | 450001 河南省郑州市科学大道100号 |