发明名称 一种光纤焊接技术
摘要 本发明公开一种光纤焊接技术,是按照下述步骤进行的:a、在光纤圆周镀上1~3μm的银层,之后镀上5~20μm的铟层;b、在硅片的V型槽上镀上一层1~6μm的银层,之后再填充一层10~100μm的硼硅酸玻璃层或者NaSiO2层;c、将步骤a中得到的光纤放入步骤b的V型槽内,在100~700v电压下、加热硅片至80~200℃,持续1-50分钟。本发明在光纤外镀上金属铟,由于铟是软焊料,有较大的延展性,减少光纤与硅片之间由于热膨胀系数造成的危害,防止热膨胀系数不同使光纤与硅片脱离。与现有技术相比,本发明避免使用环氧树脂。另外,在V型槽中先镀上一层银,增加了焊接时的导电性;而V型槽底部填充满硼硅酸玻璃,增加光纤与V型槽接触面积,焊接更牢固。
申请公布号 CN103207431A 申请公布日期 2013.07.17
申请号 CN201210007827.6 申请日期 2012.01.12
申请人 郑州大学 发明人 程东明
分类号 G02B6/255(2006.01)I 主分类号 G02B6/255(2006.01)I
代理机构 郑州中原专利事务所有限公司 41109 代理人 霍彦伟
主权项 一种光纤焊接技术,其特征在于是按照下述步骤进行的:a、在光纤圆周镀上1~3μm的银层,之后镀上5~20μm的铟层;b、在硅片的V型槽上镀上一层1~6μm的银层,之后再填充一层10~100μm的硼硅酸玻璃层或者NaSiO2层;c、将步骤a中得到的光纤放入步骤b的V型槽内,在100~700v电压下、加热硅片至80~200℃,持续1‑50分钟。
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