一种CdTe/PbTe中红外发光器件及其制备方法

摘要

本发明公开了一种CdTe/PbTe中红外发光器件及其制备方法，它以CdZnTe或BaF2或GaAs或Si或Ge作为基底，利用分子束外延设备在基底上生长CdTe/PbTe半导体异质结，异质结的发光波长在2～5um中红外波段，基于PbTe和CdTe的极性界面效应可获得强中红外光的发射。它既可直接作为光致中红外发光器件使用，也可作为电致中红外发光器件的有源区材料得到应用，如中红外发光二极管、中红外激光二极管等。

主权项

一种CdTe/PbTe中红外发光器件的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：（1）准备CdZnTe、BaF2、GaAs、Si或Ge基底；（2）利用分子束外延设备生长PbTe单晶薄膜，PbTe单晶薄膜的生长温度为300‑350℃，厚度为500‑2000nm；（3）再利用分子束外延设备在PbTe薄膜上生长CdTe，CdTe薄膜的生长温度为50‑275℃，厚度为50‑500nm。