| 发明名称 | 半导体光元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供进行湿蚀刻并形成台面结构的半导体光元件及其制造方法，能够避免在台面结构的角部发生异常蚀刻。一种半导体光元件，经湿蚀刻而形成了台面结构，其特征在于，包括：脊型或高台型的该台面结构，形成在半导体衬底上；以及延伸台，形成在该半导体衬底上，且该延伸台的材料与连接于该台面结构的角部的该台面结构的材料相同。 | ||
| 申请公布号 | CN101872036B | 申请公布日期 | 2013.07.17 |
| 申请号 | CN201010159579.8 | 申请日期 | 2010.03.25 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 大和屋武;森田佳道;绵谷力 |
| 分类号 | G02B6/122(2006.01)I;G02B6/136(2006.01)I;G02B6/26(2006.01)I | 主分类号 | G02B6/122(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 何欣亭;徐予红 |
| 主权项 | 一种半导体光元件，经湿蚀刻而形成有长方形台面结构，其特征在于，包括：脊型或高台型的所述长方形台面结构，形成在半导体衬底上；以及延伸台，形成在所述半导体衬底上且连接于所述长方形台面结构的4个角部，该延伸台的材料与所述长方形台面结构的材料相同。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||