高透过率柔性透明导电薄膜及其制备方法

摘要

本发明公开了一种高透过率柔性透明导电薄膜及其制备方法，其特征在于该透明导电薄膜的膜系为ITO/SiO2/SiO2/衬底材料/SiO2/SiO2或SiO2/ITO/SiO2/SiO2/衬底材料/SiO2/SiO2的多膜层结构，主体材料ITO为In2O3与SnO2和金属In与Sn，其中，Sn与In元素在ITO中的质量百分含量为78.9％～85.4％，Sn与In元素的质量比为40～49∶60～51，薄膜厚度范围为5nm～300nm。本发明薄膜成膜牢固，具有良好的导电性和可见光透明性，可应用于触摸屏液晶显示屏、电致发光显示器、太阳能电池、薄膜晶体管、有机和无机半导体激光器、隔热节能玻璃领域。

主权项

一种高透过率柔性透明导电薄膜，其特征在于该透明导电薄膜的膜系为ITO/第一SiO2/第二SiO2 /衬底材料/第三SiO2/第四SiO2或第一SiO2/ITO/第二SiO2/第三SiO2/衬底材料/第四SiO2/第五SiO2的多膜层结构，ITO为铟锡氧化物In2O3与SnO2和金属In与Sn，其中，Sn与In元素两者在ITO中的质量百分含量为78.9%～85.4%，Sn与In元素的质量比为40～49:60～51，薄膜厚度范围为5nm～300nm；所述的透明导电薄膜的制备方法具体步骤如下：    a．将衬底材料放入真空室中，并抽真空至室内压强低于5.0×10‑3Pa，然后对衬底材料采用＞700ev离子能量进行轰击；    b．向真空室充入氧气和氩气，控制真空室内压强为2.0×10‑1～5.0×10‑1Pa；    c．在衬底材料的正面和背面同时使用中频反应溅射的方式，各溅射两层Si02制得Si02膜层，每层厚度为1～15nm；d．采用磁控溅射的方式在SiO2膜层上同时溅射金属In与Sn；其中，SiO2膜层温度为‑10～20℃，溅射功率是直流500～1500瓦，金属In的溅射速率为0.2～3.5nm／s，Sn的溅射速率为0.01～1nm/s，制得透明导电薄膜；或者将In2O3与SnO2均匀混合，烧结成靶材，采用该靶材以溅射的的方式沉积在SiO2膜层上，制得透明导电薄膜；其中，SiO2膜层温度为‑10～20℃，溅射功率是直流500～1500瓦，溅射速率为0.04～3nm／s。