发明名称 | 硅晶片清洁方法和硅晶片清洁装置 | ||
摘要 | 将通过清洗液清洗过的硅晶片用碳酸水进行漂洗。根据该硅晶片清洁方法,不存在通过漂洗处理发生静电而发生静电破坏的情形、或者在清洗后的硅晶片表面上通过静电附着垃圾的情形,能够防止硅晶片附着漂洗处理时的金属杂质,并且,能够进行使用在考虑到成本的同时进而没有产生残渣的顾虑的干净的漂洗液的漂洗处理。 | ||
申请公布号 | CN103210476A | 申请公布日期 | 2013.07.17 |
申请号 | CN201180055008.2 | 申请日期 | 2011.11.11 |
申请人 | 栗田工业株式会社 | 发明人 | 中马高明;川胜孝博;北见胜信;森田博志 |
分类号 | H01L21/304(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/304(2006.01)I |
代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 张永康;向勇 |
主权项 | 一种硅晶片清洁方法,其特征在于,将通过清洗液清洗过的硅晶片使用碳酸水漂洗。 | ||
地址 | 日本东京都 |