III族氮化物外延基板以及使用该基板的深紫外发光元件

摘要

本发明提供能够得到提高了发光功率输出的深紫外发光元件的III族氮化物外延基板以及提高了发光功率输出的深紫外发光元件。本发明的III族氮化物外延基板(10)依次具有基板(12)、AlN缓冲层(14)、第一超晶格积层体(16)、第二超晶格积层体(18)和III族氮化物积层体(20)。III族氮化物积层体(20)含有由AlαGa1-αN(0.03≤α)形成的活性层(24)。第一超晶格积层体(16)交替含有AlaGa1-aN层(16A)和AlbGa1-bN(0.9＜b≤1)层(16B)并且满足α＜a和a＜b的条件。第二超晶格积层体(18)重复含有AlxGa1-xN层(18A)、AlyGa1-yN层(18B)和AlzGa1-zN(0.9＜z≤1)层(18C)并且满足α＜x和x＜y＜z的条件。

主权项

一种III族氮化物外延基板，其特征在于，其具有：基板，在该基板上形成的AlN缓冲层，在该缓冲层上依次形成的第一超晶格积层体和第二超晶格积层体，以及在该第二超晶格积层体上外延生长的、包含含AlαGa1‑αN层的活性层的III族氮化物积层体，0.03≤α；所述第一超晶格积层体交替含有由AlaGa1‑aN形成的第一层和由AlbGa1‑bN形成的第二层并且满足α＜a和a＜b的条件，0.9＜b≤1；所述第二超晶格积层体重复含有由AlxGa1‑xN形成的第三层、由AlyGa1‑yN形成的第四层和由AlzGa1‑zN形成的第五层并且满足α＜x和x＜y＜z的条件，0.9＜z≤1。