半导体器件、半导体器件制造方法、液晶显示装置和电子设备

摘要

本发明公开了一种半导体器件，包括：支撑基板；在支撑基板上的半导体膜；在半导体膜上的栅极绝缘膜；在栅极绝缘膜上的栅极电极；和源极区和漏极区，所述源极区和所述漏极区通过将杂质元素引入到半导体膜而形成。半导体膜的厚度在20nm到40nm的范围内。低浓度区域分别设置在源极区与沟道形成区域之间和漏极区与沟道形成区域之间。低浓度区域每一个都具有小于源极区的杂质浓度和漏极区的杂质浓度的杂质浓度，并且在支撑基板的一侧的下表面侧区域内的杂质浓度小于在相对侧的上表面侧的杂质浓度。

主权项

一种制造半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤：在支撑基板上形成半导体膜，所述半导体膜的厚度在20nm到40nm的范围内；在所述半导体膜上形成栅极绝缘膜；在所述栅极绝缘膜上形成栅极电极；以及在所述半导体膜中形成源极区和漏极区，和形成分别在所述源极区与栅极电极之下的沟道形成区域之间和在所述漏极区与所述沟道形成区域之间的低浓度区域，所述低浓度区域每一个都具有小于所述源极区的硼浓度和所述漏极区的硼浓度的硼浓度，并且在所述支撑基板的一侧上的下表面侧区域内的硼浓度小于在相对侧上的上表面侧区域的硼浓度；其中所述低浓度区域被形成为使得所述低浓度区域中的每一个的薄层电阻具有3×105Ω/□到2×107Ω/□的范围。