| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 一种半导体装置，该半导体装置具备：导电型为p型的半导体基板；设在上述半导体基板上、导电型为n型的埋入层；设在上述埋入层上、导电型为p型的背栅层；设在上述背栅层上、导电型为n型的漏极层；设在上述背栅层上、与上述漏极层分离、导电型为n型的源极层；在上述背栅层中的上述漏极层与上述源极层之间的部分的正上方区域设置的栅电极；以及与上述漏极层的上表面的一部分接触的漏电极。上述漏极层与上述漏电极的接触面的正下方区域中的上述漏极层的厚度，是上述接触面的正下方区域中的上述背栅层以及上述漏极层的合计厚度的一半。 | ||
| 申请公布号 | CN103208513A | 申请公布日期 | 2013.07.17 |
| 申请号 | CN201210222992.3 | 申请日期 | 2012.06.28 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 白井浩司;稻积贤;平汤刚士;坂本寿博 |
| 分类号 | H01L29/08(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 徐殿军 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其特征在于，具备：导电型为p型的半导体基板；设在上述半导体基板上、导电型为n型的埋入层；设在上述埋入层上、导电型为p型的背栅层；设在上述背栅层上、导电型为n型的漏极层；设在上述背栅层上、与上述漏极层分离、导电型为n型的源极层；在上述背栅层中的上述漏极层与上述源极层之间的部分的正上方区域设置的栅电极；以及与上述漏极层的上表面的一部分接触的漏电极；上述漏极层与上述漏电极的接触面的正下方区域中的上述漏极层的厚度，是上述接触面的正下方区域中的上述背栅层以及上述漏极层的合计厚度的一半。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||