发明名称 半导体装置
摘要 本发明的一个目的是提供一种半导体装置,它能够改善半导体元件的可靠性,并提高其机械强度,而不减小电路规模。该半导体装置包括夹在第一和第二密封薄膜之间的集成电路、与该集成电路电连接的天线,该第一密封薄膜夹在基板和该集成电路之间,它包括多个第一绝缘薄膜和夹在其间的至少一个第二绝缘薄膜,该第二密封缘薄膜包括多个第三绝缘薄膜和夹在其间的至少一个第四绝缘薄膜。第二绝缘薄膜的应力比第一绝缘薄膜低,第四绝缘薄膜的应力比第三绝缘薄膜低。第一和第三绝缘薄膜是无机绝缘薄膜。
申请公布号 CN1918708B 申请公布日期 2013.07.17
申请号 CN200580004279.X 申请日期 2005.02.01
申请人 株式会社半导体能源研究所 发明人 荒井康行;舘村祐子;神野洋平;秋叶麻衣
分类号 H01L27/12(2006.01)I;G06K19/077(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I 主分类号 H01L27/12(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 张雪梅;刘宗杰
主权项 一种半导体装置,包括:衬底;在所述衬底上提供的使用薄膜晶体管的集成电路;在所述集成电路上的天线;在所述薄膜晶体管下方提供并与所述薄膜晶体管接触的第一密封膜;在所述集成电路上的第二密封膜;以及其中集成电路和天线通过各向异性导电树脂彼此电连接,集成电路在第一密封膜上形成并夹在第一密封膜和第二密封膜之间,第一密封膜通过第一粘合剂附着在所述衬底上,第一密封膜包括多个第一绝缘膜和夹在该多个第一绝缘膜之间的一个或多个第二绝缘膜,第二密封膜包括多个第三绝缘膜和夹在该多个第三绝缘膜之间的一个或多个第四绝缘膜,所述一个或多个第二绝缘膜具有比所述多个第一绝缘膜低的应力,所述一个或多个第四绝缘膜具有比所述多个第三绝缘膜低的应力,所述多个第一绝缘膜和所述多个第三绝缘膜是无机绝缘膜,在所述衬底和第二密封膜之间夹置所述各向异性导电树脂;并且用所述各向异性导电树脂封闭该集成电路的侧表面和第一密封膜。
地址 日本神奈川县